Η Samsung Electronics, ο παγκόσμιος ηγέτης στην προηγμένη τεχνολογία μνήμης, ανακοίνωσε σήμερα ότι ξεκίνησε τη μαζική παραγωγή της μικρότερης DRAM του κλάδου, 14 νανομέτρων (nm), βασισμένης στην τεχνολογία ακραίας υπεριώδους ακτινοβολίας (EUV). Μετά την αποστολή της πρώτης στον κλάδο EUV DRAM από την εταιρεία τον Μάρτιο του περασμένου έτους, η Samsung αύξησε τον αριθμό των στρωμάτων EUV σε πέντε για να παραδώσει τη λεπτότερη και πιο προηγμένη διεργασία DRAM σήμερα για τις λύσεις DDR5.
"Ηγηθήκαμε της αγοράς DRAM για σχεδόν τρεις δεκαετίες, πρωτοπορώντας στις βασικές καινοτομίες της τεχνολογίας patterning", δήλωσε ο Jooyoung Lee, Senior Vice President και Head of DRAM Product & Technology της Samsung Electronics. "Σήμερα, η Samsung θέτει άλλο ένα τεχνολογικό ορόσημο με την EUV πολλαπλών στρώσεων που επέτρεψε την ακραία σμίκρυνση στα 14nm - ένα κατόρθωμα που δεν ήταν δυνατό με τη συμβατική διαδικασία φθοριούχου αργού (ArF). Βασιζόμενοι σε αυτή την πρόοδο, θα συνεχίσουμε να παρέχουμε τις πιο διαφοροποιημένες λύσεις μνήμης, καλύπτοντας πλήρως την ανάγκη για μεγαλύτερες επιδόσεις και χωρητικότητα στον κόσμο των δεδομένων που καθοδηγείται από το 5G, την AI και το metaverse."
Καθώς η DRAM συνεχίζει να κλιμακώνεται στην περιοχή των 10 nm, η τεχνολογία EUV αποκτά ολοένα και μεγαλύτερη σημασία για τη βελτίωση της ακρίβειας διαμόρφωσης για υψηλότερες επιδόσεις και μεγαλύτερες αποδόσεις. Εφαρμόζοντας πέντε στρώματα EUV στη DRAM των 14nm, η Samsung πέτυχε την υψηλότερη πυκνότητα bit, ενώ παράλληλα βελτίωσε τη συνολική παραγωγικότητα του wafer κατά περίπου 20%. Επιπλέον, η διεργασία των 14nm μπορεί να συμβάλει στη μείωση της κατανάλωσης ενέργειας κατά σχεδόν 20% σε σύγκριση με τον κόμβο DRAM προηγούμενης γενιάς.
Αξιοποιώντας το πιο πρόσφατο πρότυπο DDR5, η DRAM 14nm της Samsung θα βοηθήσει να ξεκλειδώσουν πρωτοφανείς ταχύτητες έως και 7,2 gigabits ανά δευτερόλεπτο (Gbps), που είναι υπερδιπλάσιες από την ταχύτητα DDR4 έως και 3,2Gbps.
Η Samsung σχεδιάζει να επεκτείνει το χαρτοφυλάκιο DDR5 των 14nm για την υποστήριξη εφαρμογών κέντρων δεδομένων, υπερυπολογιστών και εταιρικών διακομιστών. Επίσης, η Samsung αναμένει να αυξήσει την πυκνότητα των τσιπ 14nm DRAM στα 24Gb για την καλύτερη κάλυψη των ταχέως αυξανόμενων απαιτήσεων δεδομένων των παγκόσμιων συστημάτων πληροφορικής.
Translated with www.DeepL.com/Translator (free version)
Εμφάνιση 1-4 από 4
-
12-10-21, 11:30 Η Samsung ξεκινά τη μαζική παραγωγή της πιο προηγμένης 14nm EUV DDR5 DRAM #1
- Εγγραφή
- 22-09-2003
- Μηνύματα
- 81.761
- Downloads
- 218
- Uploads
- 48
- Άρθρα
- 6
- Τύπος
- VDSL2
- Ταχύτητα
- 204800/20480
- ISP
- Wind
- Router
- Technicolor DGA4130
- SNR / Attn
- 6(dB) / 2.8(dB)
- Path Level
- Interleaved
-
12-10-21, 13:21 Απάντηση: Η Samsung ξεκινά τη μαζική παραγωγή της πιο προηγμένης 14nm EUV DDR5 DRAM #2
Μαζική παραγωγή και ταυτόχρονα έλλειψη σε chip;
-
12-10-21, 17:13 Απάντηση: Η Samsung ξεκινά τη μαζική παραγωγή της πιο προηγμένης 14nm EUV DDR5 DRAM #3
-
12-10-21, 22:56 Απάντηση: Η Samsung ξεκινά τη μαζική παραγωγή της πιο προηγμένης 14nm EUV DDR5 DRAM #4
Bookmarks