Τεχνολογία 10nm από τις Intel, Toshiba και Samsung

[treli@ris]

Σύμφωνα με την Ιαπωνική εφημερίδα Nikkei, η οποία επικαλείται άρθρο του πρακτορείου ειδήσεων Reuters, οι εταιρίες Intel, Toshiba και Samsung θα σχηματίσουν μεταξύ τους μια κοινοπραξία για την σταδιακή ανάπτυξη της τεχνολογίας των 10nm και θα προσκαλέσουν να λάβουν μέρος σε αυτήν περίπου 10 επιχειρήσεις που δραστηριοποιούνται στη προμήθεια υλικών ημιαγωγών αλλά και στην κατασκευή τους.

Οι ίδιες πηγές αναφέρουν οτι σε αυτό το εγχείρημα θα λάβει μέρος και το Υπουργείο Οικονομίας, Εμπορίου και Βιομηχανίας της Ιαπωνίας το οποίο πιθανότατα θα διαθέσει πόρους που ανέρχονται στα περίπου €61 εκατ. δολάρια ενώ τα υπόλοιπα κονδυλία θα διατεθούν απο τις υπόλοιπες εταιρίες που θα συγκροτήσουν την κοινοπραξία ως μέλη αυτής.

Η διαδικάσια παραγωγής των 10nm αναμένεται να αξιοποιηθεί κάποια στιγμή μεσα στο 2016, σύμφωνα με την έκθεση. Τέλος, η Samsung και Toshiba θα χρησιμοποιήσουν την τεχνολογία κατασκευής 10nm για την παραγωγή NAND flash memory, ενώ η Intel προτίθεται να χρησιμοποιήσει τη διαδικασία κατασκευής για την κατασκευή νέων μικροεπεξεργαστών.

Πηγή: Xbit Laboratories

[mathcore]

Το 90% της χρηματοδότησης θα πάει σε φυσικούς για να λύσουν τα ζητήματα σχετικά με το quantum tunnelling.. Δεν μπορεί να γίνει αλλιώς,στην κλίμακα αυτή υπάρχει σοβαρότατο θέμα gate isolation (αν μιλάμε ακόμα για CMOS και δεν προχωρήσουν σε κάτι εξωτικό όπως carbon nanotube transistors..)

[.zero]

Ισχύει. Μέχρι 16nm δεν ήταν το όριο που μπορούσαν να φτάσουν χωρίς προβλήματα;