Οι Intel και Micron παρουσιάζουν νέο τύπο μνήμης 1000 φορές ταχύτερο από τις NAND flash

[nnn]

Μια νέα κατηγορία non-volatile αποθηκευτικού χώρου -προϊόν συνεργασίας μεταξύ των Intel και Micron- μπήκε ήδη σε παραγωγή και σύμφωνα με τους ισχυρισμούς των δημιουργών της, είναι 1.000 (χίλιες) φορές ταχύτερη από την τωρινή ευρέως χρησιμοποιούμενη σε δίσκους SSD και κάρτες μνήμης, τεχνολογία NAND.

Η νέα αρχιτεκτονική δεν χρησιμοποιεί κάποιο είδος transistor, αλλά βασίζεται στην αλλαγή κατάστασης ενός υλικού από την φάση χαμηλής αντίστασης στην φάση υψηλής, που τοποθετείται σε τρισδιάστατο επίπεδο (σαν σκακιέρα) με πυκνότητα 10 φορές μεγαλύτερη από την συμβατική μνήμη.

"For decades, the industry has searched for ways to reduce the lag time between the processor and data to allow much faster analysis," said Intel VP Rob Crooke in a statement. "This new class of non-volatile memory achieves this goal and brings game-changing performance to memory and storage solutions."

Για την ώρα οι περιορισμοί της νέας τεχνολογίας μνήμης δεν είναι γνωστοί και αρχικά εκτιμάται πως θα χρησιμοποιηθεί σε εφαρμογές ανάλυσης πραγματικού χρόνου. Αργότερα αναμενεται να χρησιμοποιηθεί στο gaming και για αποθήκευση μακράς διαρκείας.

Πηγή : The Verge

[Symos]

Πάρα πολύ ενδιαφέρον, ειδικά το μπήκε ήδη σε παραγωγή! Συνήθως όταν ακούμε για τέτοιες νέες τεχνολογίες είναι ακόμα σε πειραματικό στάδιο.

Μια διόρθωση μόνο, το αρχικό άρθρο λέει ότι οι περιορισμοί (limitations) της νέας τεχνολογίας δεν είναι γνωστοί, όχι τα όρια (limits). Είναι τελείως διαφορετικό το νόημα.

[nnn]

Μια διόρθωση μόνο, το αρχικό άρθρο λέει ότι οι περιορισμοί (limitations) της νέας τεχνολογίας δεν είναι γνωστοί, όχι τα όρια (limits). Είναι τελείως διαφορετικό το νόημα.

[eyw]

Τέλειο, 1000 φορές ταχύτερο, μπράβο τους.
Αν είναι και ως 2-3 φορές ακριβότερο θα πάρω και γώ ένα.

Τα στικάκια ακόμα και αν είναι 3.0 εξακολουθούν να είναι αργά.

[badweed]

"οι πεινασμενοι τρανσφορμερς περιμενουν τους κυβους της ιντελ για να τραφουν "

[hoannis]

Απο ταχύτητα ''χιλιο-υποσχόμενη'' , από αντοχή τι γίνεται?
Έχουμε κάποια πληροφορία?
Σε σχέση με τις RAM πόσο πιο αργή είναι?

*Εδώ αναφέρει ότι είναι και 1000 φορές πιο ανθεκτική!
http://www.tomshardware.com/news/mic...ory,29690.html

''3D XPoint addresses all of the key requirements to address the gap between CPU speed and memory with 1000x faster performance and 1000x more endurance than NAND, and 10x the density of DRAM, and the icing on the cake is that this new technology is non-volatile.''

[badweed]

και στο contact του 1997 ειχε γινει μια νυξη για την αποθηκευση πληροφοριας σε 3d μοτιβο

Spoiler:

cq (seek you ) cq this is w9 gfo

[aiolos.01]

Περίμενα οτι η MRAM που αναπτύσσεται εδώ και δεκαετίες θα ήταν η επόμενη μνήμη. Αλλά φαίνεται οτι η intel ξέρει να κρατάει τα μυστικά της καλύτερα απο ...μερικούς πρώην υπουργούς.

Ακούγεται απίστευτη τεχνολογία. Αλλά ας δούμε πρώτα τις λεπτομέρειες.

[Artemius]

βασικά όσοι είδατε τον αντικαταστάτη -μαζί σας και εγώ αρχικά - της DRAM στο 3D Xpoint των Intel και Micron, αναθεωρήστε...

η ίδια η Intel λέει και αποδεικνύει, οτι είναι κάτι "ενδιάμεσα" στην DRAM και την NAND ως τεχνολογία,και ως προιόν θα το προμοτάρει/πουλήσει για μόνιμη αποθηκευτική λύση,
χωρίς ωστόσο,και το ξεκαθαρίζει αυτό, να είναι αντικαταστάτης της NAND,μιας και, και πολύ νωρίς είναι (κόστος,μέγεθος σε GB,διαθεσιμότητα) αλλά και δεν έχει ακόμα την ωριμότητα και το scalabilityτης NAND (ούτε και θα έχει για "πολλά" χρόνια).

Για αυτά και για άλλα, η Intel είναι ξεκάθαρη οτι αυτό θα είναι entrerprise προιόν και μόνο.

κάποια σημεία-κλειδιά της τεχνολογίας αυτής είναι οτι :

1. Δεν έχει την -ουσιαστικά άπειρη- αντοχή της DRAM (P/E cycles δηλαδή). Έχει πολύ μεγαλύτερη αντοχή από την NAND βέβαια,σε σημείο που θεωρητικά σε consumer περιβάλλον θα μπορούσε να αντέξει για... δεκαετίες.
2. Δεν έχει το απειροελάχιστο latency της DRAM,έχει περισσότερο. Ωστόσο,έχει μικρότερο latency από την NAND.
3. Δεν -προβλέπεται να- έχει την ανάγκη της NAND σε πολύπλοκους contollers.

[frap]

Θα μπορούσε ίσως σχετικά άμεσα να μπει σε μικρές ποσότητες σε υπάρχοντες SSD ωσάν cache για να αυξηθούν οι ταχύτητες εγγραφής/επανεγγραφής και να μειωθεί το write amplification στη NAND.

Ήδη σαν τεχνολογία υπάρχει ήδη σε προϊόντα που χρησιμοποιούν μικρό μέρος της TLC NAND τους ως MLC για αύξηση των επιδόσεών τους και της αντοχής στο χρόνο.